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Microchip 8位单片机销售额全球第一

  闽台合作研制白光LED用红光荧光粉根据业界知名市场调查机构Gartner Dataquest 2006年的市场排名,全球领先的单片机和模拟半导体供应商——Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)勇夺全球8位单片机销售额冠军,巩固了其作为全球8位单片机市场占有率领头羊的地位。事实上,Microchip自2002年以来就一直位列全球单片机出货量之首。此外,该公司第20亿颗闪存单片机可望于本季度出货。

  这一排名表明,Microchip自1989年成立以来,其专有PIC单片机架构的业务增长屡创新高,市场认可度也与日俱增。根据Gartner Dataquest的年度排名,Microchip在1990年的全球销售额排名榜上仅位居第二十位。时至今日,该公司已在超过65个国家和地区拥有5.5万多家客户,专门为遍及消费、汽车、办公自动化、通信及工业控制等不同市场领域的高产量嵌入式控制应用提供优质产品和出众服务。

  8位PIC单片机架构以强大的RISC内核为基础,通过不同产品系列为用户提供6引脚到100引脚的简易迁移路径。Microchip至今已出货逾50亿颗单片机。提供的近450种PIC单片机采用可再编程(闪存)、一次性编程(OTP)及只读存储器(ROM)等不同形式的程序存储器配置,具有多种片上外设。16位PIC24单片机及dsPIC数字信号控制器则把Microchip 8位PIC18系列的性能、外设和功能兼收并蓄,提供高达40 MIPS的吞吐能力并集成了DSP功能。

  Microchip首席执行官兼总裁Steve Sanghi先生表示:“我们凭借先进的一次性编程(OTP)及闪存单片机,成为8位单片机市场上现场可编程领域的倡导者,不仅迎合了设计和开发需要,还满足了批量生产的需求。我们的PIC单片机架构有助于加快产品上市时间、降低系统总成本和产品开发风险,为客户带来竞争优势,因此世界一流工程师始终对其青睐有加。”

  Microchip全球销售及应用部副总裁Mitch Little先生指出:“此次我们能够获得最高排名,完全有赖于Microchip对嵌入式控制应用开发的专注和执著,Microchip全球团队多年来卓越的执行能力,以及客户对PIC单片机长期持续的认可和支持。凭借特有的企业文化,我们打造了万众一心的业务团队,专心致志地为全球客户提供支持,包括一支不收佣金的全球现场销售和应用队伍。在此,我想向我们全球的客户及分销伙伴致以衷心的谢意。正是拥有大家的支持,我们才得以在市场上独占鳌头。”

  从评估工具包、编程器、在线调试器到融合未来最高速技术的以全速运行的先进在线仿真器,Microchip致力于为客户提供简易、高性能及经济实惠的多元化开发工具。

  Microchip为6引脚到超过100引脚的各种8位、16位单片机及16位数字信号控制器提供低成本、通用的真正集成的开发环境,因而在众多半导体公司中脱颖而出。利用单一的MPLAB集成开发环境(IDE)平台,工程师可妥善管理所有相关的Microchip开发工具。有了共同的开发工具内核,客户可轻松过渡到新款单片机,既能节省购买新开发工具的花费,也可缩短学习新开发工具的时间。

  Microchip致力于通过帮助设计工程师更加快捷、高效地开发产品而为客户提供有力支持。客户可访问获得Microchip提供的四类主要服务:“支持”区能确保客户提出的问题得到快速解答;“样片” 区可提供所有Microchip器件的免费评估样片;microchipDIRECT可提供24小时的报价、订货、库存及信用服务,让客户更便捷地采购所有Microchip器件和开发工具;而“培训”区则通过网上研讨会、报名参加本地研讨会和动手实验课程,以及每年在全球各地举行的Microchip技术精英年会的信息等多种途径为客户提供培训。

  上一篇:Microchip推出全球首款采用28引脚封装的64 KB闪存16位单片机

  继美光之后,SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发,容量512GB/64GB,TLC。SK海力士透露,闪存单元架构为CTF(电荷捕获),同时集成了PUC技术。公司将样品提供给controller公司去制作解决方案产品海力士一直在推广96层NANDFlash产品中的4D技术,该产品将电荷阱闪存(CTF)与高集成度Peri相结合,并采用单元(PUC)技术。新的176层NAND闪存是第三代4D产品,从制造上来说,其能够确保业内最佳的每片晶圆产出。与上一代相比,除了容量增加35%,它采用2分裂单元阵列选择技术后,单元的读取速度比上一代提高了20%,在不增加进程数量的情况下,采用加速技术的数据传输

  +176层,SK Hynix做到了 /

  Intel二代傲腾SSD P5800X:超大容量,速度、延迟秒杀NAND

  )3D NAND固态盘。英特尔固态盘D7-P5510是全球首个推向市场的144层TLC NAND固态盘,而英特尔固态盘D5-P5316则是业内首个采用了144层QLC NAND的数据中心级固态盘。过去十余年间,英特尔始终致力于推动和发展领先的内存和存储技术。秒杀NAND相比于传统NAND闪存,傲腾介质拥有扩展性好、随机性能更佳、延迟超低、寿命超长等特点,尤其适合数据中心这样的应用领域。经过多年发展,Intel傲腾已经形成了庞大稳固的生态圈,云服务商、存储服务商、存储软件商、大型企业等合作伙伴可以拉出一长串名单,包括国内的阿里云、百度云、腾讯云、金山云、青云、平安云、人大金仓、新华三、浪潮

  最近,FeFET初创者FMC获得了包括默克,SK Hynix,IMEC,Robert Bosch和Tokyo Electron以及现有的投资者eCapital等公司提供的超过2000万美元的资金。在这里,我们采访了该公司的首席执行官Ali Pourkeramati,希望听到他对新型存储FeFET未来发展的看法。Pourkeramati首先是赞扬氧化铪作为铁电材料的特性,该特性也恰好在晶圆代工厂中广泛用作现代IC的绝缘层。他声称铁电场效应晶体管(FeFET)是嵌入式闪存的自然替代品,因为后者难以扩展到28nm以上。Pourkeramati指出,与嵌入式闪存不同,FeFET的耐久性在10 ^ 11周期时很高

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  近日,红米Redmi品牌总经理卢伟冰在微博公布了Redmi Note 9 Pro、Redmi Note 8 Pro两款手机的文件拷贝测试。结果显示,采用UFS2.2闪存的手机大文件拷贝速度比 UFS 2.1手机快三倍。卢伟冰称 UFS 2.2将是 “中端手机性能的又一分水岭”。红米 Note 9 5G 以及Note 9 Pro 是市面上首先采用 UFS 2.2闪存颗粒的手机,尽管没有 UFS 3.0、UFS 3.1规格高,但是写入速度的巨大提升也非常可观。根据微博用户 @数码闲聊站 的实测,Redmi Note 9 Pro顺序读取速度为996.11MB/s,顺序写入速度为499.45MB/s

  将成为中端手机性能的分水岭 /

  3D闪存堆叠技术的应用已经有一段时间了,从2013年8月以来,3D NAND存储器就已经成功地投入了市场。所谓堆叠,像积木一样一层层的堆起来,但是,这种技术并非仅仅只应用在建筑上。科技产品下一个重大突破将在3D闪存芯片堆叠领域出现。以前的2D技术是把NAND闪存颗粒直接平铺在SSD固态硬盘电路板上。后来,厂家为节约成本,节省空间,像建高楼一样,一层又一层地平铺上去,就成为了3D堆叠闪存技术。3D NAND将思路从提高制造工艺转移到了堆叠更多层数,这样就可以兼顾容量、性能和可靠性了。所以,与平面NAND(2D结构)不同,3D NAND类似于垂直摩天大楼,其中水平层的存储器单元被堆叠,然后使用微小的垂直通道连接。

  密度进一步提高 /

  据陕视新闻报道,近日,陕西省2020年重点项目观摩活动举行。其中,在走进西安中,三星12英寸闪存芯片二期项目、西安奕斯伟硅产业基地一期项目等被提及。据介绍,三星12英寸闪存芯片二期项目由三星(中国)半导体有限公司投资建设,总投资1010亿元,新建一条12英寸3D V-NAND生产线年完成全部投资并实现满产。项目全部满产后,三星西安公司闪存芯片产能将占三星电子全球产能的40%以上,年产值将突破1000亿元,成为陕西省第一家千亿级高科技制造业企业和全球规模最大的闪存芯片生产基地。值得注意的是,三星高端存储芯片二期第一阶段项目在今年3月10日举行产品下线上市仪式。据当时西安

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